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高溫儲存測試的核心邏輯非常簡單：不通電，單純用高溫烤，看芯片能放多久不壞。

一、高溫儲存測試的核心目的與原理？

高溫儲存測試的物理基礎是阿倫尼烏斯方程：溫度每升高10°C，化學反應速率（老化速率）通常會翻倍。

通過在高溫下（如150°C）長期存放，我們可以模擬芯片在正常溫度下（如25°C或55°C）數年甚至數十年的老化過程。

二、失效機制

高溫儲存測試主要用來暴露以下失效機制：

1，金屬間化合物（IMC）過度生長：這是最核心的檢測點。高溫會加速原子擴散，導致焊點中的IMC越長越厚。

2，柯肯達爾空洞：也就是常說的凸點內部空洞，導致焊點內部變空。

3，氧化：檢查引腳、鍍層在高溫下是否會嚴重氧化導致接觸不良。

4，材料退化：塑封料或底部填充膠在高溫下是否會分解、變脆或變色。

三、測試標準與條件？

行業通用標準是JEDEC JESD22-A103。測試通常在精密的高溫烘箱中進行，不需要加偏壓（Unbiased），也就是芯片是不通電的。

常見等級:

125°C —— 消費級芯片（手機、PC）。

150°C —— 工業級、車規級（最常用）。

175°C —— 引擎周邊、SiC/GaN功率器件。

標準時長：1000小時。通常在168h，500h，1000h取出進行測試。

對于車規級（AEC-Q100 Grade 0），甚至可能要求測到2000小時。

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